2007年9月30日日曜日

磁性薄膜技術を転用、TDKが次世代メモリー開発へ

IT-PLUSの記事によると、TDKは磁性材料を使う次世代半導体メモリー「MRAM」を開発したとのこと。主力事業のハードディスク駆動装置(HDD)用ヘッドの開発で培った磁性薄膜技術を転用したとのことだ。早ければ2008年中に量産を始めるという。

MRAMは電源を切っても情報が消えず、HDDなどと比べてデータの読み書きが高速なようだ。デジタル機器の起動時間を大幅に短縮できることから、ノートパソコンや携帯電話などの記憶装置として、採用が有望視されているとのこと。現在米フリースケール・セミコンダクタが商品化しており、東芝など他の半導体各社も開発を進めているとのこと。

記事: IT-PLUS:TDK、次世代メモリー開発・磁性薄膜技術を転用


以前TDKが、半導体フラッシュメモリーを媒体とした記憶装置ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の事業に参入すると表明しましたが、そのSSDと今回の記事のMRAMは何か関係があるのか疑問に思ったので、とりあえずf調べてみました。まず、MRAMというのはMagnetoresistive Random Access Memory の略語で、"マグネット"という名前のとおり"磁気によってデータを記憶する”メモリの一種のようです。なお、今のところ軍事・宇宙開発などの特殊な用途でしか実用化されていないようです。

つまりは、TDK製のSSDには"MRAMが採用される可能性がある"というところでしょうか。メモリとしての品質はなかなか良さそうなので、TDK製のSSDにも期待できそうな気がしてきました。


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